Samsung приступила к массовому выпуску 256-Гбит 64-слойной 3D NAND TLC
Компания Samsung Electronics в свежем официальном пресс-релизе сообщила о старте серийного производства 64-слойных микросхем флеш-памяти V-NAND (3D NAND) ёмкостью 256 Гбит. Следует уточнить, что ограниченный выпуск 64-слойных микросхем 3D NAND компания Samsung начала в четвёртом квартале прошлого года. Это позволило Samsung уже в январе 2017 года используя новую память начать поставку опытных SSD отдельным клиентам компании. Добавим, 64-слойные 256-Гбит микросхемы построены на ячейке с возможностью записи в каждую из них трёх бит данных (3D NAND TLC). Массовый серийный выпуск 64-слойной 256-Гбит памяти 3D NAND TLC стартовал на линиях только что запущенного в строй нового завода компании вблизи города Пхёнтхэк (Pyeongtaek). Проектная мощность этого предприятия составляет 200 тыс. 300-мм пластин в месяц. На начальном этапе завод сможет ежемесячно обрабатывать 40–50 тыс. 300-мм пластин с флеш-памятью 3D NAND. Но даже этих объёмов хватит, чтобы уже во втором полугодии компания смогла довести долю производства 64-слойных микросхем 3D NAND в потоке всего производства NAND-флеш до уровня 50 % и даже превысить его.