Tokyo Electron разработала оборудование для выпуска 400-слойной флеш-памяти 3D NAND

Для производства памяти типа 3D NAND, подразумевающей использование пространственной компоновки с вертикальными соединениями между слоями в чипах, требуется специальное оборудование, и до сих пор рынок полностью контролировала американская компания Lam Research. Японской Tokyo Electron удалось разработать более производительный метод выпуска таких микросхем, который позволит увеличить количество слоёв памяти до 400 штук. Источник изображения: Tokyo Electron






